• <sup id="wwy6s"><li id="wwy6s"></li></sup>
    <samp id="wwy6s"><tbody id="wwy6s"></tbody></samp>
    
    <strike id="wwy6s"><nav id="wwy6s"></nav></strike>
  • <ul id="wwy6s"></ul>
  • 
    
  • <ul id="wwy6s"><center id="wwy6s"></center></ul>
    <strike id="wwy6s"><menu id="wwy6s"></menu></strike><ul id="wwy6s"><center id="wwy6s"></center></ul>

    中山市三得愛心商業(yè)有限公司

    深耕行業(yè)多年是以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的行業(yè)知名企業(yè)。隨時響應(yīng)用戶需求,打造性能可靠的業(yè)界精品。

    內(nèi)容詳情

    智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

    發(fā)布時間:2025-01-05 12:32:41   來源:中山市三得愛心商業(yè)有限公司   閱覽次數(shù):837次   

    「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試(Test)

    半導(dǎo)體測試工藝FLOW

    為驗(yàn)證每道工序是否正確執(zhí)行半導(dǎo)體將在室溫(25攝氏度)下進(jìn)行測試。測試主要包括Wafer Test、封裝測試、 模組測試。

    Burn-in/Temp Cycling是一種在高溫和低溫條件下進(jìn)行的可靠性測試,初只在封裝測試階段進(jìn)行,但隨著晶圓測試階段的重要性不斷提高,許多封裝Burn-in項(xiàng)目都轉(zhuǎn)移到WBI(Wafer Burn-in)中。此外,將測試與Burn-in結(jié)合起來的TDBI(Test During Burn-in)概念下進(jìn)行Burn-in測試,正式測試在Burn-in前后進(jìn)行的復(fù)合型測試也有大量應(yīng)用的趨勢。這將節(jié)省時間和成本。模組測試(Module Test)為了檢測PCB(Printed Circuit Board)和芯片之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系,在常溫下進(jìn)行直流(DC/ Direct Current)直接電流/電壓)/功能(Function)測試后,代替Burn-in,在模擬客戶實(shí)際使用環(huán)境對芯片進(jìn)行測試,市面上導(dǎo)電膠分多種,而其中專業(yè)內(nèi)存存儲測試這塊的,就是導(dǎo)電膠測試墊片。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

    智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì),導(dǎo)電膠

    關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道 (6)薄膜沉積工藝

    大家好!半導(dǎo)體工序中的第六道工序,即薄膜沉積工藝(Thin film deposition)時間。完成蝕刻(Etching)工藝的晶片現(xiàn)在穿上了薄膜的衣服;薄膜是指1微米以下的薄膜。當(dāng)你把這些薄膜涂在晶片上時,它就會產(chǎn)生電學(xué)特性。一起了解更多詳細(xì)內(nèi)容吧?!

    1. 薄膜覆蓋

    如上所述,薄膜指的是真正的薄膜。如果你想到如何覆蓋比晶片更薄的膜,沉積工藝真的很令人困惑。在半徑為100mm的晶片上覆蓋1μm薄膜,就像是要在半徑為100m的土地上精細(xì)地涂上比膠帶厚度還薄的膜,你是不是真的很迷茫?因此,這些薄膜工藝需要非常精確和細(xì)致的工作。就像所有的半導(dǎo)體工藝一樣。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)為了測試封裝的半導(dǎo)體芯片,我們把芯片和電氣連接在一起的介質(zhì)稱為測試座。

    智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì),導(dǎo)電膠

    關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點(diǎn)你要知道 (6)薄膜沉積工藝

    2. PVD和CVD首先制作薄膜的方法主要分為兩類:物相沉積PVD(Physical Vapor Deposition)和化學(xué)汽相淀積CVD(Chemical Vapor Deposition)。兩種方法的區(qū)別在于“物理沉積還是化學(xué)沉積”。物相沉積(PVD)又大致分為熱蒸發(fā)法(Thermal evaporation)、電子束蒸發(fā)法(E-beam evaporation)和濺射法(Sputtering)。這么一說是不是已經(jīng)迷茫了?

    之所以有這么多方法,是因?yàn)槊糠N方法使用的材料不同,優(yōu)缺點(diǎn)也不盡相同。

    首先物相沉積(PVD)主要用于金屬薄膜沉積,特點(diǎn)是不涉及化學(xué)反應(yīng);用物理方法沉積薄膜。讓我們來看看其中的一個:反應(yīng)濺射(Sputtering)。

    濺射法(Sputtering)是一種用氬(Ar)氣沉積的方式。首先真空室中存在Ar氣體和自由電子,如果你給氬(Ar)氣體施加一個高電壓它就會變成離子。我們在我們需要沉積的基板上施加(+)電壓,在我們想要沉積的材料的目標(biāo)層上施加(-)電壓。自由電子和氬(Ar)氣體之間的碰撞導(dǎo)致離子化的會碰撞到(-)Target層,然后Target材料分離并沉積到基板(Substrate)上。然后氬(Ar)和自由電子不斷發(fā)生碰撞沉積繼續(xù)進(jìn)行。

    「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試(Test)

    2.半導(dǎo)體測試(工藝方面):WaferTest/PackageTest/ModuleTest

    包裝測試(Package Test)也包括可靠性測試,但它被稱為終測試是因?yàn)樗窃诋a(chǎn)品出廠前對電氣特性進(jìn)行的終測試(Final Test)。包裝測試是重要的測試過程,包括所有測試項(xiàng)目。首先在DC/AC測試和功能(Function)測試中判定良品(Go)/次品(No-Go)后,在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting(ex.DRAM)模組測試(Module Test)是指在PCB上安裝8-16個芯片后進(jìn)行的,因此也稱為上板測試(Board Test)。Module Test在DC/Function測試后進(jìn)行現(xiàn)場測試,以確??蛻裟軌蛟趯?shí)際產(chǎn)品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個過程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片,就可以換成良品芯片重新組成模塊。致力國內(nèi)存儲半導(dǎo)體企業(yè)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)提供及時,優(yōu)良,完善的測試平臺,能夠?yàn)槠髽I(yè)創(chuàng)造更多商業(yè)契機(jī)。

    智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì),導(dǎo)電膠

    存儲芯片測試儀P20MT6757DRAMP90MT6779G90MT6785……

    革恩半導(dǎo)體有限公司有著多年同海外企業(yè)合作與交流共同業(yè)研發(fā)多個存儲芯片測試平臺,積累了豐富經(jīng)驗(yàn),持續(xù)服務(wù)與海外多家存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家,研發(fā)存儲芯片方案。

    現(xiàn)目前已開發(fā)的平臺有聯(lián)發(fā)科的P20MT6757/P90MT6779/G90MT6785/20MMT6873/21M+MT6877,如有其它需求我們也可以提供定制化服務(wù)。希望致力于國內(nèi)存儲半導(dǎo)體企業(yè)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)提供及時,優(yōu)良,完善的測試平臺,能夠?yàn)槠髽I(yè)創(chuàng)造更多商業(yè)契機(jī)。DDR3是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。蘇州78FBGA-0.8P導(dǎo)電膠

    專業(yè)生產(chǎn)芯片,可獲客客戶需求,能力強(qiáng),壓力變送器,線性模組,專業(yè)垂直開發(fā), 內(nèi)存測試導(dǎo)電膠。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

    「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體?這點(diǎn)應(yīng)該知道:(8)Wafer測試&打包工程

    晶圓測試工藝的四個步驟

    3)維修和終測試(Repair&FinalTest)

    因?yàn)槟承┎涣夹酒强梢孕迯?fù)的,只需替換掉其中存在問題的元件即可,維修結(jié)束后通過終測試(FinalTest)驗(yàn)證維修是否到位,終判斷是良品還是次品。

    4)點(diǎn)墨(Inking)

    顧名思義就是“點(diǎn)墨工序”。就是在劣質(zhì)芯片上點(diǎn)特殊墨水,讓肉眼就能識別出劣質(zhì)芯片的過程,過去點(diǎn)的是實(shí)際墨水,現(xiàn)在不再點(diǎn)實(shí)際墨水,而是做數(shù)據(jù)管理讓不合格的芯片不進(jìn)行組裝,所以在時間和經(jīng)濟(jì)方面都有積極效果,完成Inking工序后,晶片經(jīng)過質(zhì)量檢查后,將移至組裝工序。智能導(dǎo)電膠設(shè)計(jì)

    深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道桃源社區(qū)臣田航城工業(yè)區(qū)A1棟305南邊,是一家專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域:1. 測試設(shè)備01. 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測試燒入機(jī))測試儀器配件-導(dǎo)電膠、測試座子、探針04.DDR測試、導(dǎo)電膠芯片測試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司。GN是深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司的主營品牌,是專業(yè)的革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域:1. 測試設(shè)備01. 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測試燒入機(jī))測試儀器配件-導(dǎo)電膠、測試座子、探針04.DDR測試、導(dǎo)電膠芯片測試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)公司,擁有自己的技術(shù)體系。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價值,希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力,將革恩半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域:1. 測試設(shè)備01. 基于英特爾平臺開發(fā)DDR及LPDDR顆粒及模組測試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固 件及軟件調(diào)試02. 基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器,并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行固件及軟件調(diào)試現(xiàn)有P60、P90、G90、20M、21M平臺測試儀器已開發(fā)完成及開發(fā)中03.高低溫測試設(shè)備及量產(chǎn)設(shè)備2. Burn-in Board(測試燒入機(jī))測試儀器配件-導(dǎo)電膠、測試座子、探針04.DDR測試、導(dǎo)電膠芯片測試、技術(shù)服務(wù)支持、支持研發(fā)服務(wù)等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。深圳市革恩半導(dǎo)體有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋芯片導(dǎo)電膠測試墊片,DDR測試、LPDDR測,內(nèi)存測試儀器,內(nèi)存顆粒內(nèi)存條測試,堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。

    熱點(diǎn)新聞